Плазмена чистка TS-AP8000 параметри продукту:

Плазмена чистка TS-AP8000 Особливості продукту:

Військово-промислова конструкція апаратного забезпечення для різних жорстких сценаріїв
Цифрове управління, цифровий дисплей, моніторинг в режимі реального часу, сильний противтручання;
Використовуючи схему переміщення фази повного мосту з м'яким перемикачем марки Ti, ефективність схеми жорсткого перемикача може бути покращена на понад 10% відносно аналогового, час відповіді менше 0,1 секунди, сильна протиперешкода;
Чип управління фактором потужності PFC імпортованої марки Ti
Проста взаємодія людини з комп'ютером, потужна дистанційна відладка зв'язку з чипами ARM марки ST
застосовуйте сценарій, самостійно розроблене програмне забезпечення для інтелектуального судження та координації роботи з даними, зібраними в реальному часі, щоб досягти самовідповідності потужності, стабільності без змін;
Зміни в потужності, викликані змінами напруги в електромережі звичайних моделей, змінами тиску джерела газу, втратами сопл, можуть бути налаштовані в режимі реального часу за допомогою цифрового управління, регульований діапазон потужності розширюється в 4 рази;
Підтримка віддаленого інтерфейсу зв'язку IO, потужні функції віддаленого зв'язку;
3 функції виявлення в режимі реального часу: виявлення тиску повітря, виявлення температури материнської плати та виявлення первинного пікового струму трансформатора.
Має захист від перетемператури, захист від перенавантаження, коротке замикання, відключення, перенавантаження, захист від витоків, захист від різних помилок.
Може поєднатися з виробничою лінією, може безперервно працювати, підвищувати швидкість виробництва;
Низькі витрати на газ (CDA / N2), економія витрат;
Ексклюзивна патентована технологія розряду з високою концентрацією плазми.

Плазма регулярного тискувід еквівалентуванняТри основні компоненти субгенезаційного пристрою, системи доставки газу та плазменого пистолетуВеликий.Плазма очищення газуПральні машини залежать від електроенергії для виробництва високого напругу та високочастотної енергії. Ці енергії активуються іКонтролюється розряд блиску, що генерує криотемпературну плазму, за допомогою стисненого простору плазму розкидається на обробку поверхні, що дозволяє обробкуТаблицяПоверхня викликає відповідні фізичні та хімічні зміни.Поверхня обробленого об'єкта очищається, видаляється жир, добавки та інші компоненти, видаляється поверхневий статичний електрик. У той же час поверхня активується, збільшуючи клеєння, сприяючи клею, розпису, друку та герметизації продукту.